Descripción
Diodo de rápida recuperación diseñado para aplicaciones especiales, tales como fuentes de alimentación de corriente continua, inversores, convertidores, sistemas de ultrasonidos, picadoras y aplicaciones para RF de baja interferencia. El tiempo de recuperación típica es de 300 nanosegundos, proveyendo frecuencias de alto rendimiento de hasta 250 kHz.
Especificaciones :
Voltaje inverso repetitiva Vrrm máximo: 600 V
Voltaje RMS máximo: 140 V
Voltaje máximo de bloqueo de CC: 200 V
Corriente directa lf (AV): 1 A
Voltaje directo máximo VF: 1.2 V
Tiempo de recuperación inversa trr máxima: 300 ns
Corriente directa transitoria Ifsm máxima: 30 A
Temperatura de trabajo máxima: 175°C
Documentación:
Puedes consultar el datasheet en el siguiente link: