2N3906 Transistor PNP

Descripción

Es un transistor tipo PNP de propósito general de estado solido de unión bipolar BJT, utiliza las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente. Su encapsulado es TO-92 y cuenta con 3 pines (base, colector y emisor, el emisor se encarga de emitir electrones, la base pasa los electrones y el colector colecta electrones).

Especificaciones:
VCBO Máxima Colector-Base: 40v
Tensión VCEO Máxima Colector-Emisor: 40v
Tensión VEBO Máxima Emisor-Base: 5 V
Corriente del Colector Ic: 200 mAdc
Dp – Disipación de potencia: 625 mW
DC ganancia de corriente: 300
fT Ancho de Banda: 250MHz
Voltaje de saturación colector-emisor: 400 mV
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Temperatura Mínima de Funcionamiento: -55 °C

Documentación:
Puedes consultar el datasheet en el siguiente link:

•  Datasheet