2N5458 Transistor JFET Canal N

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Descripción

Es un transistor de propósito general de efecto de campo (JFET) de canal N de baja potencia, de pequeña señal utilizado como amplificador de uso general y conmutación.

Especificaciones:

Voltaje de ruptura Vbr: -25 V
Voltaje de ruptura Vgs máximo: – 7V
Disipación de potencia Pd: 625 mW
Corriente de drenaje Idss mínima tensión de puerta nula: 1 A
Corriente de drenaje Idss máxima tensión de puerta nula: 6 mA
Temperatura de operación máxima: 125°C

Documentación:
Puedes consultar el datasheet en el siguiente link:

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