2N5550 Transistor NPN 140V 600mA

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Descripción

Es un transistor bipolar (BJT) de pequeña señal, de tipo NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW con encapsulado de TO-92 (TO-226)

Especificaciones:

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C
Producto de corriente — ganancia — ancho de banda (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80

Documentación:
Puedes consultar el datasheet en el siguiente link:

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