2N7000 Mosfet Canal N 200mA 60V

$3.00

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Cantidad Precio
1 - 24 $3.00
25 - 99 $2.00
100 - 249 $1.40
250+ $1.00

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Descripción

Es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Esta diseñado para conmutación rápida  de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.

Especificaciones:

Tipo de transistor: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-92-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 Canal
Voltaje de Drenaje a Fuente Vds: 60V
Corriente Continua de Drenaje Id: 200mA
Resistencia de Activación Rds(on): 5 Ohms
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Disipación de Potencia Pd: 400mW
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Documentación:
Puedes consultar el datasheet en el siguiente link:

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