Descripción
Es un transistor de silicio epitaxial PNP con una excelente linealidad de ganancia para THD baja, alta capacidad de corriente y alta disipación de potencia. Encapsulado tipo TO-3P.
Especificaciones:
Voltaje colector base VCBO: -230 V
Voltaje colector emisor VCEO: -230 V
Voltaje emisor base VEBO: – 5 V
Corriente colector Ic: -15 A
Corriente base Ib: – 1.5 A
Disipación de potencia de colector PC (Tc=25 °C): 150 W
Temperatura de operación mínima: -65 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Complemento: 2SC5200
Documentación:
Puedes consultar el datasheet en el siguiente link: