75N10 Transistor Mosfet Canal N 75A 100v

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Descripción

Mosfet de 3 terminales con capacidad conductiva de 75A, de switcheo rápido, de baja resistencia en estado de encendido.

Especificaciones:

Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V
Id – Corriente de drenaje continua: 75 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 21 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
Qg – Carga de puerta: 215 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 400 W

Documentación:
Puedes consultar el datasheet en el siguiente link:

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