BC557 Transistor BJT PNP

Descripción

El BC557B PNP es un transistor es de propósito general de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para aplicaciones lineales y de conmutación. Este transistor es de tipo “PNP”, formado por dos capas de material tipo “P”, separadas por otra de tipo “N”.

Especificaciones:

Tipo de Transistor: PNP
BC557B
Encapsulado: TO-92-3
Pines: 3
Altura: 5.33 mm
Longitud: 5.2 mm
Ancho: 4.19 mm
Voltaje VEBO emisor-base: 5V
Voltaje Máx. VCEO colector-emisor: -45V
Tensión Máxima Colector-Base VCBO: -50V
Voltaje de saturación colector-emisor: -0.3 V
Corriente CC máxima de colector: 0.1 A
Producto para ganar Ancho de banda fT: 320 MHz
Dp – Disipación de potencia: 625 mW
Temperatura de Funcionamiento Máxima: +150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento: -55 °C

Documentacion:

Puedes consultar el datasheet en el siguiente link:

• DATASHEET