Descripción
Transistores BJT con encapsulado TO-126 de 80Volts a 1.5Ampers diseñado para utilizare en amplificadores y controladores de audio o como circuito complementario.
Especificaciones:
Tipo de Transistor: NPN
Serie: BD139
Encapsulado: TO-126
Estilo de montaje: Through Hole
Pines: 3
Altura: 10.8 mm
Longitud: 7.8 mm
Ancho: 2.1 mm
Peso de la unidad: 60 mg
Voltaje VEBO emisor-base: 5V
Voltaje Máx. VCEO colector-emisor: 80V
Tensión Colector-Base VCBO: 80V
Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5 V
Corriente CC máxima de colector: 1.5 A
Producto para ganar Ancho de banda fT: 320 MHz
Dp – Disipación de potencia: 12.5 W
Máx. ganancia de CC hFE: 250
Temperatura de Funcionamiento Máxima: +150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C
Documentacion:
Puedes consultar el datasheet en el siguiente link: